半导体InP中次内层分子轨道能级的计算
JOURNAL OF XINJIANG UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)（2000）
Abstract
利用量子力学方法,计算了半导体InP中次内层分子轨道的能级;对不具中心对称的InP半导体,建立了非对称的椭球坐标系;计算出的InP中次内层分子轨道能级与实验结果相符合.同样的方法可以推广到其它半导体能级的计算.
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