聚吡咯包覆CoMoO4纳米片自组装多孔柱阵列的制备及其赝电容性能研究

采用水热法结合电化学聚合技术在泡沫镍上生长聚吡咯包覆的 CoMoO4纳米片自组装多孔柱阵列。通过 XRD、FTIR和 SEM分析产物的组成与结构，发现产物呈现聚吡咯包覆 CoMoO4纳米片自组装多孔柱阵列的复合结构。通过恒流充放电、循环伏安法研究CoMoO4的超电容性能，在电流密度为100 mA?g－1的条件下，包覆CoMoO4的比电容为1205 F?g－1；在200 mA?g－1充放电循环3000次后，比电容值仍保持为初始值的85．7％，是未包覆CoMoO4材料的1．6倍，聚吡咯包覆 CoMoO4纳米片自组装多孔柱阵列具有良好的赝电容特性和循环稳定性。