Gd4(Bi,Ge)3化合物的室温磁熵变效应

Journal of Suzhou University of Science and Technology(Natural Science)（2019）

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Abstract

通过电弧熔炼和随后的退火处理制备出单相多晶化合物Gd4Bi3-xGex(x=0,1和2).Gd4Bi3-xGex的晶体结构为反Th3P4型,空间群为I-43d.晶胞参数a从x=0的0.93993(2)nm减少到x=2的0.90697(2)nm.通过Arrott方法得到x=0,1和2的居里温度分别为327、350和296 K.5 T变场下,x=0,1和2的最大磁熵变分别为2.7、2.3和3.4 J·kg-1·K-1,相对制冷能力分别为257、184和442 J·kg-1.居里温度附近的临界磁行为遵循标度理论.居里温度之上和之下的等温磁化曲线可用两个不同的正则函数描述.分析表明,Gd4BiGe2在铁磁-顺磁转变附近的磁行为为平均场下的长程相互作用.

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