脉冲激光沉积GaN薄膜的结构和光学特性研究
ACTA PHOTONICA SINICA（2003）
Abstract
采用准分子脉冲激光,在Si(111)衬底上生长了带有AlN缓冲层的GaN薄膜, 利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光致发光光谱(PL)等测试手段研究了不同沉积温度所生长的GaN薄膜结构特征和光学性能.研究表明:沉积温度影响GaN薄膜结构和光学性能,黄带发射峰主要与晶体缺陷有关.在400～700 ℃沉积范围内随着温度升高,GaN薄膜结构和光学性能提高.
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