纳米硅量子线的平均直径和气压的依赖关系
JOURNAL OF CHINESE ELECTRON MICROSCOPY SOCIETY（1998）
摘要
近几年来,纳米半导体材料的研究吸引了材料及物理学家的浓厚兴趣.纳米硅量子线的成功合成[1,2]使得对低维纳米半导体材料的物理性质的研究成为可能.本文提供了一种控制纳米硅量子线平均直径的方法,同时研究了不同气压下得到的纳米硅量子线的一些特殊形态.
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