P型栅增强型GaN功率开关器件的中子辐照效应
Modern Applie Physics（2018）
摘要
对采用P型栅增强型技术的GaN功率晶体管进行了反应堆1 MeV等效中子辐照效应实验.结果表明,在注量为1.5×1015 cm-2的中子辐照后,器件的阈值电压没有发生明显变化;栅压较大时,辐照后的饱和漏电流变小,这与沟道电子迁移率降低和二维电子气2DEG的退化有关;当漏极电压小于200V时,器件的关态漏电流明显增加,表明中子辐照重掺杂P型栅发生的载流子去除效应弱化了P型栅在零栅压下对沟道电子的耗尽,但器件栅极反向泄漏电流在辐照后没有变化,说明其对中子辐照具有一定的免疫能力.
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