电流型GaN辐射探测器研制

Yang LIU,Chun-lei SU,Xiao-ping OUYANG,Xiao-jing SONG,Yan MA,Xiao-ren YU

Modern Applie Physics（2013）

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摘要

采用大面积半绝缘型GaN (semi-insulting GaN,SI-GaN)晶体制备了电流型GaN辐射探测器,研究了探测器伏安(Ⅰ-Ⅴ)特性、γ射线响应特性、灵敏度、电荷收集效率、脉冲响应等物理性能.结果表明,晶体表面与金属形成了良好的欧姆接触,探测器在600 V偏压下暗电流低于400 pA,电荷收集效率高于40％,探测器脉冲响应时间在ns量级.

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