SIMP钢中H对He热解吸行为的影响研究

为了初步理解核用结构材料中H对He行为的影响,以He离子单独辐照和He和H离子连续辐照作为对比,利用热释放谱(TDS)、透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)研究了SIMP中H对He的热解吸和滞留行为的影响.TDS结果表明:He释放的主峰主要出现在1 198～1 222K之间,对应于气泡的迁移释放机制.相对于He单独辐照,H的附加辐照使得He的释放峰向低温移动,且释放量增大.即H促进了He的热解吸.另外,H对He热解吸的促进作用与H的辐照剂量有关.当H注入的峰值浓度(原子分数)从5％增加到50％时,这种促进作用有所减弱.结合TEM和SEM结果发现:H的存在促进了TDS加热过程中材料表面的起泡行为,从而加速了He以气泡迁移机制释放的过程.