直波导耦合输出AlGaInAs多量子阱环形激光器研究
CHINESE SCIENCE BULLETIN（2009）
摘要
采用InP基InAlGaAs多量子阱激光器外延材料结构,利用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术和聚酰亚胺介质平坦化工艺,研制了多量子阱半导体环形激光器样品.该器件通过加正偏压的环形结构谐振腔实现光激射,然后借助紧邻的直线波导耦合将光信号输出.环形谐振腔直径为700 μm,波导宽度为3μm.用光纤对准直线波导端口耦合测试了环形激光器的光功率-电流特性曲线和激射光谱,其阚值电流为120 mA,在注入电流160 mA时从直波导耦合输出得到激射光谱的中心波长为1602 nm,并结合光功率一电流特性曲线对环形激光器中的工作模式进行了初步分析.
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