P型GaN和AlGaN外延材料的制备

HIGH TECHNOLOGY LETTERS（2000）

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摘要

研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0.13Ga0.87N的生长工艺,包括掺杂剂量和热退火条件,对材料电学性质的影响.得到了性能优良的P型材料,并研制了InGaN/AlGaN双异质结蓝光发光二极管.

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