InP衬底上多层InAs量子线阵列分布的对称性
CHINESE SCIENCE ABSTRACTS（2001）
摘要
在InP衬底上制备多层InAs量子线.生长方法为常规分子束外延(MBE)和迁移增强型(Migration Enhanced Epitaxy)分子束外延(MEE).用透射电子显微镜(TEM)观察到多层InAs量子线阵列分布沿生长方向[001]的对称性与生长方法有关.如果用MBE方法,QWR阵列是对称的;如果用MEE方法.QWR阵列是不对称的.提出了模型对这种生长方法与QWR阵列分布对称性的关系的解释.
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