不同功率密度的微波辐射对小鼠学习记忆功能的影响

[目的]观察频率为2450MHz的不同功率密度微波辐射对小鼠学习记忆功能的影响,并探究其影响机制.[方法]将40只5周龄昆明种小鼠作为观察对象,雌雄各半,随机分为对照组和3个辐射组.辐射组连续暴露于频率为2 450 MHz的微波辐射28d,1.5 h/d,功率密度分别为2.5、5.0、10.0 mW/cm2.通过Y迷宫实验和避暗实验观察各组小鼠学习记忆能力改变.检测小鼠脑组织中超氧化物歧化酶(SOD)活性、S100B蛋白、一氧化氮(NO)、天冬氨酸(Asp)、γ-氨基丁酸(GABA)及谷氨酸(Glu)含量.[结果]各辐射组小鼠Y迷宫错误逃逸次数明显增高,脑组织中SOD活性及Glu含量降低(P＜0.01或P＜0.05);10.0mW/cm2辐射组小鼠避暗实验错误次数增加(P＜0.01);5.0、10.0 mW/cm2辐射组小鼠避暗实验潜伏期减少,小鼠脑组织中S100B蛋白浓度升高,NO及GABA含量增高,Asp含量降低,与对照组相比,具有统计学差异(P＜0.01或P＜0.05);随着微波辐射暴露功率密度的增加,损伤逐渐加重.[结论]微波辐射可导致小鼠学习记忆功能减弱,其机制可能为微波辐射造成脑组织氧化损伤,使脑组织中S100B蛋白含量增高,导致NO浓度增加,进而造成Glu等氨基酸类神经递质代谢紊乱,从而损害小鼠学习记忆能力减弱.