PARG基因沉默在六价铬诱导细胞周期改变中的作用

目的 深入了解PARG的功能及探讨PARG基因沉默在调节六价铬诱导细胞周期改变的作用.方法 使用前期构建的PARG基因缺陷细胞(shPARG细胞)和正常16HBE细胞作为研究对象,进行0、0.3、0.6、1.2、2.5和5.0 μmol/L的六价铬[Cr(Ⅵ)]溶液染毒处理24 h,利用免疫荧光法检测PAR的表达、流式细胞仪观察细胞周期、RT-PCR分析ATM和P53基因mRNA水平的表达.结果 Cr(Ⅵ)染毒处理后,正常16HBE细胞的S期明显延长,0、0.3、0.6、1.2、2.5和5.0μmol/L剂量组S期细胞比例分别为18.3％、21.6％、26.0％、30.9％、38.8％和43.2％,G2期明显缩短;shPARG细胞的S期延长,但比例增幅远小于正常16HBE细胞,0、0.3、0.6、1.2、2.5和5.0 μmol/L剂量组S期细胞比例分别为17.0％、19.0％、20.1％、21.2％、24.5％和31.3％.正常16HBE细胞内P53基因表达随Cr(Ⅵ)作用剂量的增加而逐渐升高,PARG缺陷细胞内P53基因表达改变不明显(与对照组相比,P＞0.05);Cr(Ⅵ)染毒处理后,两种细胞内ATM基因的表达均增加,但正常16HBE细胞内增加更明显,如:5.0 μmol/L的Cr(Ⅵ)作用时,正常16HBE细胞内ATM基因的表达升高可达6.67倍(与对照组相比,P＜0.01),而shPARG细胞内ATM基因表达仅升高2.27倍(与对照组相比,P＜0.01).结论 PARG基因沉默可对抗Cr(Ⅵ)诱导的细胞周期时相改变.