四级分叉银纳米线的制备与表征

Liping XU,Jie LIU,Zhihua WANG,Ruijuan LIU,Yajing WANG,Liji GONG

Journal of Qingdao Agricultural University（Ziran Kexueban)（2017）

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摘要

氧化铝模板在二次氧化时以1/的倍数逐步降低,形成一级、二级、三级和四级分叉模板孔洞.用电化学沉积法在此孔洞里生长相对应级别分叉的金属银纳米线.银纳米线的直径呈逐级减小趋势,最粗一端直径为50~60 nm,最细一端直径可以达到5 nm 左右.X射线衍射,透射电镜和扫描电镜结果表明银纳米线具有面心立方结构.这些银纳米线可能存在金属-半导体结,为未来的纳电子器件提供广阔的发展前景.

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