深亚微米SOIMOS器件研究与设计

JOURNAL OF ZHEJIANG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY（2002）

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摘要

利用自己设计的适合深亚微米SOIMOS器件模型及SPICE电路模拟程序,详细分析了小尺寸SOI器件的阈值电压、饱和漏电流、电导、跨导等与工艺参数的关系,通过大量的模拟、计算,我们提出了小尺寸FD SOIMOSFET的设计方案,并根据该方案研制出性能优良的沟道长度为0.2μm的SOIMOS器件.

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