K2CuIn3Se6的固相合成、晶体结构和性能

JOURNAL OF BEIJING UNIVERSITY OF CHEMICAL TECHNOLOGY(NATURAL SCIENCE EDITION)(2004)

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摘要
采用反应性熔盐法以n(K2Se3):n(Cu):n(In):n(Se)=2:2:1:6的摩尔比,在773 K下反应5 d,得到四元金属硒化物K2CuIn3Se6.该晶体属于单斜晶系,空间群为C2/c,晶胞参数a=1.148 4(2)nm,b=1.145 8(2)nm,c=2.1327(4)nm,β=97.81(3)°,V=2.7802(1)nm3,Z=8.K2CuIn3Se6具有层状结构,含有二维共价结构的负离子,2∞[CuIn3Se6]2-.2∞[CuIn3Se6]2-由配位四面体[CuSe4]和[InSe4]共顶点连接而成.2∞[CuIn3Se6]2-和K+以静电力堆积成晶体.漫反射光谱研究表明,该晶体具有1.6 eV的光学能隙,属于半导体,对太阳能有选择吸收的特性.
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