生长温度对InAs/GaAs横向异质结构纳米线形貌及晶体结构的影响
Acta Materiae Compositae Sinica（2019）
Abstract
低维半导体材料因其超常的物理性能而受到了广泛关注和研究.本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,利用金作催化剂制备了InAs/GaAs横向异质结构纳米线,并讨论了不同生长温度情况下InAs横向异质材料对纳米线形貌及晶体结构的影响.提高InA s材料的生长温度,可以有效地抑制纳米线的纵向生长,使其实现横向异质结构的生长.在异质结构纳米线横向生长时发生了侧面晶面旋转的现象,这是纳米线表面重构后侧面趋向能量更低的晶面的结果.本文的研究工作为推动微纳技术的发展提供了相应的理论基础和科学依据.
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