基于E-PHEMT技术的宽带、高线性和微型封装放大器研究

基于GaAsE-PHEMT工艺，采用负反馈和宽带有耗匹配技术，实现宽带、高线性MMIC放大器芯片；基于多层陶瓷工艺，制作密封性好、可靠性高的封装外壳。结合二者，基于多物理场联合设计、仿真和优化，实现宽带、高线性和小型化功率放大器。该放大器频率覆盖DC～3GHz，增益大于14dB，P-1功率大于23.5dBm；P-1下PAE大于40%，OIP3大于39dbm，噪声小于3.4dB，输入驻波和输出驻波小于1.5（2GHz）。采用恒流镜像偏置，＋5V单电源供电，工作电流小于110mA，封装尺寸仅为4.5mm×2.5mm×1.8mm。可广泛应用于通信等领域。