新型紫外光源研制成功

江风益,熊传兵,彭学新,王立,李述体,姚冬敏,莫春兰,李鹏,周毛兴,周力, 吴蔚登,刘和初

MATERIALS REVIEW（2001）

引用 0|浏览3

暂无评分

摘要

以GaN为代表的第三代半导体材料,是制造短波长高功率发光器件和高温大功率电子器件的具有代表性的半导体材料。到目前为止,国际上高功率蓝色发光二极管（LED）、绿色LED、白光LED、蓝紫色LED及激光器等已实现了批量生产,走向了商业市场。 GaN半导体材料与器件的研究已历时30多年。前20年进展缓慢,未能研制出实用化的器件。近十年来,在日本获得了突

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要