石墨衬底上多晶硅厚膜的生长及性质分析

以石墨片为衬底，利用磁控溅射技术生长多晶硅籽晶层，退火处理后用 CVD 制备多晶硅厚膜。XRD测试结果表明，在籽晶层上外延多晶硅厚膜具有高度的(220)取向，这说明外延层的择优取向延续了籽晶层的取向。SEM测试结果表明，石墨片上多晶硅外延层生长良好，说明石墨片作为廉价衬底之一，有望投入工业化生产，以降低太阳能电池的制作成本。