多晶硅薄膜的氢等离子体钝化机理研究

研究了氢等离子体钝化多晶硅(poly-Si)薄膜中缺陷态的详细物理机制。结果表明，多晶硅中不同的缺陷态需要不同的氢等离子体基团予以钝化。 Hα具有较低的能量，主要钝化悬挂键类缺陷态；H*具有较高的能量，对钝化晶界附近与镍杂质相关的缺陷态更有效；Hβ和 Hγ具有的能量最高，可以用来钝化晶粒内部的缺陷态。这些分析和结果有利于优化 H等离子体钝化多晶硅的条件，进一步提高多晶硅性能。