Si3N4-SiC复相陶瓷材料的制备及性能研究

Meng LIU,Huasheng CHEN,Bin HAN,Jixiong LIU,Wangzhi ZHOU

Wisco Technology（2017）

Cited 0|Views13

No score

Abstract

以薄带连铸用陶瓷侧封板为研究对象,探讨了以氮化硅和碳化硅为主要原料,采用陶瓷制备工艺,烧成中进行埋粉处理,制备了试验用Si3N4-SiC复相陶瓷样品,并对烧成样品的抗折强度、抗热震性能以及组成和结构进行了测试和分析.结果表明,最佳试样中氮化硅质量分数为50 ％,碳化硅质量分数为30 ％,1 480 ℃进行烧成,室温抗折强度为53.20 MPa,经30次热震后抗折强度增加65.15 ％.样品内部主要为碳化硅、氮化硅及莫来石相,样品显微结构显示其内部孔隙较多,主要以玻璃相和莫来石相为结合相.

Translated text

AI Read Science

Must-Reading Tree

Example

Generate MRT to find the research sequence of this paper

Chat Paper

Summary is being generated by the instructions you defined