化学气相沉积法制备吸波型SiCN陶瓷的研究进展

化学气相沉积法(chemical vapor deposition，CVD)是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术，具有制备温度低、所得材料均匀致密、可实现近尺寸成型等优点，是制备功能材料的常用方法之一。本文综述了几种常见的CVD方法，如常压化学气相沉积(atmospheric pressure chemical vapor deposition，APCVD)、低压化学气相沉积（low pressure chemical vapor deposition，LPCVD）、等离子体增强化学气相沉积（plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD）以及激光辅助化学气相沉积（laser assisted chemical vapor deposition，LACVD）；重点阐述了采用LPCVD在较低温度下制备SiCN陶瓷吸波剂的工艺参数，提出了LPCVD是制备新型吸波陶瓷的主要方法。