Mg-Sn合金的阻尼机理研究

研究了不同的Sn含量(1%~10%,质量分数)的Mg-Sn合金在不同状态下(铸态(F)、固溶态(T4)、固溶+时效态(T6))的阻尼性能.结果表明随着Sn含量的增加,Mg-Sn合金阻尼性能中与应变相关的阻尼值(阻尼因子Q-1)会相应的增加.Mg-Sn合金阻尼机理为位错阻尼和相界阻尼的共同作用,相界阻尼来自于合金中层片状共晶组织(Mg2Sn与α-Mg)相界面摩擦阻尼.高应变振幅下,含1%~5%Sn的Q-1因子变化规律为:T4>F>T6,位错机制占主导地位;含7%~10%Sn的阻尼因子Q-1变化规律为:F>T4>T6,相界面摩擦阻尼占主导地位.