一次再结晶取向硅钢中第二相粒子局部密度与晶界的关系

采用场发射扫描电镜(FESEM)结合电子背散射衍射技术(EBSD)对一次再结晶取向硅钢中的Goss晶粒、黄铜晶粒及其周边相邻晶粒在晶界附近1μm范围内尺寸大于40 nm的MnS第二相粒子的局部密度与相应晶界的关系进行了统计分析.结果表明:900℃再结晶退火后,Goss晶粒周边出现频次较高的晶粒取向分别为{112} <111>、{111} <110>、{411} <148>和{111}<112>,其中有利于Goss晶粒异常长大的{111} <110>、{111} <112>和{411} <148>取向出现频次之和占总量的57.7％;黄铜取向晶粒周边出现频次较高的则为{111} <110>、{112} <111>、{111} <112>和{411} <148>,其中{111} <110>、{111} <112>和{411} <148>出现频次占总量的68.7％;MnS第二相粒子的局部密度差随晶界组合不同而变化,其中Goss-{ 111}<110>组合的最大.