AlN单晶薄膜扫描光谱椭偏研究

采用从近红外到深紫外能谱范围的扫描光谱椭偏方法,对AlN单晶薄膜结构和光学特性进行了研究.结果显示:近红外到近紫外能谱(1.5～3.875 eV)是高透明区,椭偏光谱呈现周期性振荡;近紫外及深紫外能谱(3.875～6.25 eV)是吸收区,椭偏光谱周期性振荡逐渐消失,且在4.27 eV和5.46 eV能谱位置产生与缺陷能级相关的阶跃;在近带边能谱(6.16 eV)处,椭偏光谱出现单峰极值.由多层结构建模及Tanguy Extended色散关系拟合得到AlN单晶薄膜o光和e光对应的禁带宽度(激子束缚能),其分别约为6.32 eV(74.9 meV)和6.08 eV(70.0 meV).研究表明,禁带宽度和光学各向异性对AlN薄膜椭偏光谱具有显著影响.