GaSb衬底上InAsSb材料的电学性能研究
Aero Weaponry（2016）
摘要
采用分子束外延(MBE)法在GaSb衬底上生长了不同组分的InAsSb外延膜.通过引入A1GaSb插层,实现对导电GaSb衬底上InAsSb材料电学性质的定性表征,并研究了生长温度和晶格失配对InAsSb外延层电学性能的影响.测试结果表明,在较低生长温度下获得的样品表面会形成缺陷,且其电学性能较差.对于一定晶格失配的样品,提高生长温度能获得较好的电学性能.
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