高压直流断路器用压接式IGBT芯片封装设计
Smart Power（2018）
Abstract
随着大功率电力电子器件的快速发展,通过压力封装的IGBT器件得到了广泛关注.针对新型压接式大功率IGBT器件的设计,开展了基于有限元的电场仿真计算,建立了IGBT芯片子模组的仿真模型,确定了电场集中的3个区域,即纵向间隙、横向间隙、银片与框架间隙3处,并分析提出了在相应的区域增加半导体均压层和增大间隙等切实可行的改进措施.
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