改进窗函数下的忆阻器特性分析和研究
Electronic Components & Materials（2018）
Abstract
基于杂质漂移机理,分析了忆阻器的导电过程,为了更加准确地模拟忆阻器内部离子的实际迁移情况,提出了一种改进的窗函数模型.基于MATLAB软件工具研究了忆阻器的伏安特性,进而分别研究了传统窗函数和改进窗函数模型下的滞回特性,通过仿真对比分析结果表明:改进的忆阻器模型不仅具有可调性和高灵活性,还解决了"边界锁死"问题;忆阻器的滞回曲线呈现出明显的优越性;在频率允许范围内,忆阻器的伏安特性会随着频率的增大而缩减,当频率趋于无穷大时,呈现出一条直线,则表现出普通电阻元件特性.
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