3D表面碳纳米管薄膜的生长及其强流脉冲发射的增强

本文采用气相化学沉积(CVD)法在具有镍层的三维硅基底上制备了碳纳米管薄膜（3D-CNTs），硅基底表面的三维微结构采用湿法刻蚀法制作，镍层采用化学镀的方法制备，碳纳米管生长均匀，列阵整齐，并垂直于基底表面。为了研究碳纳米管薄膜的强流脉冲发射特性，在相同的主Marx电压下采用二极结构（相同的二极管电压放电条件下）对碳纳米管薄膜进行重复脉冲发射实验。结果发现，在相同的脉冲电压下，3D-CNTs薄膜冷阴极相对平面基底上制备的碳纳米管薄膜（P-CNTs）冷阴极不仅有较高的强流脉冲发射电流和电流密度，还具有更好的强流脉冲发射稳定性。