一种“L-2L”传输线去嵌入方法的优化分析

介绍了一种基于硅基微波共面波导传输线的“L-2L”去嵌入技术的改进方法。该方法可更加精确地剥离在片器件S参数中探针焊盘寄生效应的影响。利用ADS软件对无焊盘的理想传输线结构进行了电磁仿真，确立了去嵌入结果精确度的判定标准。使用GSG微波探针提取了测试样品的S参数，推导了π型寄生参量等效电路模型中并联导纳Y不同位置（m=0，0.5，1）下左、右探针焊盘的ABCD矩阵，得到了去嵌入后在片器件的本征传输特性S参数，并结合电磁仿真对比。结果表明：m=1时，其S参数曲线与仿真结果最为接近(平均偏差量ΔS11=18.431，ΔS21=4.405，ΔS=11.418)。对于不同在片测试器件需要着重考虑m的取值。