单晶薄膜体声波谐振器频率温度特性研究
Piezoelectrics & Acoustooptics（2020）
Abstract
采用离子注入剥离法转移制备了43°Y-切铌酸锂(LiNbO3,LN)单晶压电薄膜材料,以SiO2/Mo作为声反射结构制备了固态声反射型薄膜体声波器件.谐振器工作频率约为3 GHz,LN薄膜等效机电耦合系数达到14.15％.对谐振器的频率温度特性进行了表征,结果表明,尽管LN单晶的频率温度系数为(-70～-90)×10-6/℃,但由于声反射结构中包含有正温度系数的SiO2层,谐振器的频率温度系数降至-18× 10-6/℃,这表明固态声反射结构能够有效抑制单晶LN薄膜的温漂,获得低频率温度系数的谐振器器件.
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