X波段FBAR用AlN薄膜制备研究

Huadong PENG,Yang XU,Yongchuan ZHANG,Bo DU,Meiju SI, Xin JIANG,Ming ZHAO

Piezoelectrics & Acoustooptics（2019）

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摘要

采用中频磁控溅射法,在硅基上制备了X波段薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器用AlN压电薄膜.对AlN薄膜进行了分析表征,结果表明,AlN压电薄膜具有良好的(002)面择优取向,摇摆曲线半峰宽为2.21°,膜厚均匀性优于0.5％,薄膜应力为 5.02 MPa,应力可在张应力和压应力间进行调节.将该AlN薄膜制备工艺应用于FBAR器件的制作,研制出X波段FBAR器件,谐振频率为9.09 GHz,插入损耗为 0.38 dB.

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