SiC籽晶上生长AlN单晶的断裂特性研究
Piezoelectrics & Acoustooptics（2018）
摘要
通过扫描电镜(SEM)观察了SiC籽晶上生长AlN单晶的断裂面形貌.模拟了SiC籽晶与AlN晶体之间的应力分布.通过计算不同晶面的面间距,确定了六方晶系的AlN晶体中m面为解理面.拉曼光谱仪对不同晶面的特性进行了表征.结果表明,断裂面为m面,即裂纹扩展并沿m面解理形成断裂面.切割面为c面,AlN沿垂直于c方向生长.拉曼光谱中波数为656.2cm-1的(E2(high)声子模为AlN单晶中的特征拉曼峰)声子模式的半高宽为6.5cm-1,晶体质量高.残余的张应力是裂纹产生的主要原因.
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