声体波微波延迟线用AlN薄膜制备研究

采用中频磁控溅射法在z轴石英基片上制备了(002)择优取向的AlN薄膜.采用X线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)表征了AlN薄膜的择优取向和表面形貌.结果表明,溅射功率、氮气流量、氩等离子清洗对AlN薄膜的择优取向有显著影响.将该方法制备的AlN薄膜应用于声体波微波延迟线,研制出频率为4.2～4.4 GHz的声体波微波延迟线,其延迟时间为361 ns,插入损耗为-57.3～-60.4 dB,3次渡越抑制为28.6 dB,直通信号抑制为52.7 dB.