二氟化氙释放牺牲层多晶硅刻蚀速率研究
Piezoelectrics & Acoustooptics（2016）
摘要
该文研究了相关工艺参数对二氟化氙(XeF2)干法释放多晶硅的释放速率的影响.结果表明,对于薄膜体声波谐振器(FBAR)悬臂结构,腔室压力不变时,随着载气N2流量的增大,刻蚀速率先增加后减少,刻蚀速率最大值为10.3 μm/min;载气N2流量不变时,腔室压力越大,工艺腔室参与刻蚀反应的XeF2气体的浓度增大,刻蚀速率越大.当腔室压力超过1 200 Pa时,随着腔室压力的增加,刻蚀速率的增长率逐渐减小.
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