先进IGBT芯片国产化的三个关健问题

尽管第5代IGBT已经成为电力电子行业的主流产品,但是却始终未能实现国产自给,主要原因是核心技术未能实现自主化。本文针对生产第5代IGBT的3项核心技术,即沟槽技术、场截止技术和薄片键合技术分别进行阐述和分析,3项技术的难点分别体现在沟槽形貌控制、深埋层的制备以及键合方式的选择和实施。逐一突破3项技术将为先进IGBT的国产化铺平道路。