碳化硅MOSFET栅氧化层可靠性研究

通过 TCAD 仿真的方法对器件可靠性与结构设计之间的关系进行分析；对栅极电压和栅氧化层最强电场进行仿真，以对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOSFET)单胞结构参数进行优化；在N型碳化硅外延层上制作金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor，MOS)电容，并且通过对MOS电容进行C-V测试的方法评估SiO2/SiC界面质量。对导带附近界面陷阱密度进行比较。NO退火的样品与干氧氧化样品相比界面质量明显改善，界面态密度小于5×1011 cm–2eV–1。