4H型碳化硅高温氧化工艺研究

wf(2016)

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Abstract
在4H型碳化硅导电衬底上进行N型外延层生长,并对外延层表面进行化学机械抛光;通过高温氧化的方法在表面生成氧化层,并且在NO中进行退火;在此之后,加工碳化硅MOS电容和LMOS;通过C-V测试的方法对SiO2/SiC界面特性进行评估;通过测试的方法对LMOS的场效应迁移率和MOS的击穿电压分布情况进行分析。结果表明,经过表面抛光可大大改善表面形貌,在一定程度上抑制界面态的产生,并且改善沟道导电的一致性。
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