4H型碳化硅高温氧化工艺研究

在4H型碳化硅导电衬底上进行N型外延层生长，并对外延层表面进行化学机械抛光；通过高温氧化的方法在表面生成氧化层，并且在NO中进行退火；在此之后，加工碳化硅MOS电容和LMOS；通过C-V测试的方法对SiO2/SiC界面特性进行评估；通过测试的方法对LMOS的场效应迁移率和MOS的击穿电压分布情况进行分析。结果表明，经过表面抛光可大大改善表面形貌，在一定程度上抑制界面态的产生，并且改善沟道导电的一致性。