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PMOS场效应晶体管脉冲X射线辐照效应

Tao JIN,Zhi'an YANG,Zushen YANG,Yujuan YAO, Yihong LUO

NUCLEAR TECHNIQUES（2005）

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摘要
根据P沟道金属氧化物场效应晶体管(PMOSFET)在低能脉冲X射线辐照下的实验结果、结合PMOSFET实验样品的结构分析了阈电压漂移产生的机理.
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关键词
pmosfet,radiation effects,pulse,x-ray
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