混沌腔体中电场边缘概率分布模型
High Voltage Engineering（2014）
摘要
为研究有限容量样本下电场分布情况,基于边缘分布理论方法,得到混沌腔体内电场边缘分布模型.该模型在混沌条件下一致性收敛速度快,当样本容量N＞10时,最大相对误差收敛于0.004 5.与此同时,利用混响室实测数据及理想波混沌场,对边缘分布模型的有效性进行试验验证,结果表明:该边缘分布模型与样本分布基本重合;无论对单自由度还是3自由度的波混沌场都可以很好地拟合场的分布,优于传统的Weilbull、Rayleigh 分布.该模型对有限样本下混沌电场的统计分布规律的描述,具有重要的理论价值和指导意义.
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