温度对TFT SRAM单粒子翻转及其空间错误率预估的影响

Li CAI,Jiancheng LIU,Yingcan QIN,Lili LI,Gang GUO,Shuting SHI,Zhenyu WU,Yaqing CHI,Ning HUI,Hui FAN,Dongjun SHEN,Anlin HE

Atomic Energy Science and Technology（2018）

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摘要

本文研究了 215～353 K温度范围内商用4M 0.15 μm;薄膜晶体管结构SRAM单粒子翻转(SEU) 截面随温度的变化.实验结果显示,在截面曲线饱和区,SEU截面基本不随温度变化;在截面曲线上升区,SEU截面随温度的升高而增加.使用Space Radiation 7. 0软件研究了温度对其空间错误率预估的影响,模拟结果显示.SEU截面随温度的变化改变了 SRAM SEU截面-LET值曲线形状,导致其LET 阈值漂移,从而影响空间错误率预估结果.

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