HL-2A 装置中阿尔芬本征模的数值模拟
wf（2016）
Abstract
采用 GTAW 程序模拟研究了 HL-2A 装置等离子体中的阿尔芬(Alfvén)本征模，得到了典型放电条件下的本征频率和模结构及等离子体密度分布对本征频率和模结构的影响。计算得到的环形阿尔芬本征模(TAE)间隙中的本征频率99.09、74.90和99.17 kHz 与实验观察到的高频 Alfvén 本征模频率相吻合。计算还发现，等离子体中心电子密度的增大会导致 TAE 的本征频率减小，但不影响模的径向位置和结构。
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