14 MeV 中子引发 SRAM 器件单粒子效应实验研究

在中国原子能科学研究院的高压倍加器装置上开展了SRAM 器件的14 MeV中子单粒子效应实验研究。介绍了中子的产生、中子注量率的测量和调节以及中子单粒子效应的测试等的实验方法，获得了HM628512BLP型和R1LV1616HSA型SRAM器件的14 MeV中子单粒子效应截面。前者与文献的单粒子效应截面在误差范围内一致，验证了实验方法的科学性和可行性。后者与由效应机制出发获得的理论分析结果在量级上一致，对实验结果给出了定性的解释。