65 nm 工艺 SRAM 低能质子单粒子翻转实验研究

基于北京HI‐13串列加速器质子源及技术改进工作，获得2～15MeV低能质子束流。针对商业级65nm工艺4M×18bit大容量随机静态存储器（SRAM），开展了质子单粒子翻转实验研究。实验结果表明，低能质子通过直接电离机制可在存储器中引起显著的单粒子翻转，其翻转截面较核反应机制引起的翻转截面大2～3个数量级。结合实验数据分析了质子翻转机制、LET值及射程、临界电荷及空间软错误率等，分析结果表明，实验器件翻转临界电荷约为0.97fC，而低能质子超过高能质子成为质子软错误率的主要贡献因素。