InxGa1-xAs高性能全固态数字化微光器件

Infrared and Laser Engineering(2013)

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摘要
作为全固态微光器件,InxGa1-xAs器件通过调节材料组分x值,其响应波段覆盖夜天光辐射的主要波段,对夜天光的能量利用率高。加之材料量子效率高,器件性能好,可望显著提高夜视系统作战距离;另外,采用半导体常规工艺制作,可完成大面阵、长线列器件制备,无需封装在(超)高真空系统,制备简单;采用CMOS读出电路进行信号数据的读取、传输与放大,有利于进行数据的处理和优化改善。由于具备的以上技术优势,InxGa1-xAs器件成为一种新型的高性能全固态数字化微光器件。 InxGa1-xAs器件与传统的微光器件在光电转换原理以及器件制备方面存在不同,决定了两者在性能上存在的差异。文中对此进行了对比分析,分析结果体现了InxGa1-xAs全固态数字化微光器件的技术优势和特点,以及InxGa1-xAs全固态数字化微光器件存在的重要应用和发展需求。
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