GaN开关类功率放大器温度特性的研究

为了研究GaN开关类功率放大器(PA)的温度特性,通过开展一系列的温度测试来研究温度变化对该GaN PA各个性能参数的具体影响.测试结果表明:首先,较高的温度(＞80℃)会使GaN HEMT的电特性发生严重恶化,进而导致器件的性能和可靠性显著下降.其次,对于该开关类GaN PA来说,随着温度的持续升高,其功率附加效率(PAE)显著降低,不能再保持高效率.而且,随着温度的突变和冲击次数的增加,电路出现显著的退化甚至失效.这些都说明了温度的变化对PA的性能产生了很大的影响,开关类PA对温度的变化非常敏感,而且温度冲击对其性能影响更为显著.这些研究为PA的可靠性设计提供了重要指导.