基于180 nm COMS工艺的低功耗温度传感器电路设计

为降低温度传感器的功耗，提出一种结构简单的片上温度-频率转换器电路。该转换器能够根据与绝对温度成比例PTAT（Proportional To Absolute Temperature）的电流检测出温度，利用源极耦合多谐振荡器电路，将温度等效PTAT电流转换成频率。提出的电路采用标准180 nm CMOS技术设计，面积约为0.061 mm2。通过多次实际测量，结果显示：当电源电压为0.8 V±10%时，该温度传感器能够在-43℃~+85℃的温度范围内良好工作，并且经过单点校正之后，最大温度误差小于±1℃。当电源电压为0.8 V时，+85℃条件下的平均功率损耗仅为500 nW。