一种超大规模集成电路内部存储单元单粒子效应仿真评估方法
Microelectronics & Computer（2019）
摘要
本文提出了针对抗辐射加固超大规模集成电路内部存储单元的单粒子翻转效应仿真方法,通过设计存储单元的单粒子翻转传播因子算法,可以模拟单粒子翻转在目标电路内部存储单元的产生、传播、掩蔽和捕获等过程,并预估对整体电路单粒子翻转截面的贡献.在此基础上开发了自动提取统计的仿真软件,开展了存储器内建自测试、典型功能模式下的重离子试验,仿真和试验结果具有相同的变化规律,误差小于1个数量级,表明该方法具有较高的仿真精度,可以应用于大规模集成电路的单粒子效应仿真.
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