RS码和双总线结构的高性能闪存图像存储器
Microelectronics & Computer（2018）
Abstract
空间存储器存在高能粒子反转问题,提出了采用变长匹配的RS码纠错的大容量NAND型闪存图像存储器.为保证存储器实时纠错编译码时不影响持续读写速度,提出了主副总线的闪存和SRAM阵列备份的体系结构.在此基础上,针对图像数据源分辨率变化和NAND闪存是页存储体系的特点,提出了变长匹配的RS码字页编程方法,可纠错有限字节的随机错误,实现图像数据源、纠错码和闪存存储的匹配.针对突发长码错误,提出了固定周期的数据交织方法.固化参数后实验结果表明,在双总线系统架构下,能够保证系统存取速度,图像存储速率达到1.44 Gbps,读取速率达到1.2 Gbps,单页纠错能力突破30 byte,同误比特率下信噪比提高了2 dB以上.
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